本发明涉及一种具有DC供电装置和与所述DC供电装置连接的开关电桥(12)的HF功率放大器装置(11),所述开关电桥(12)包含两个至少间接地串联的开关元件(S1,S2)并且所述开关电桥的中点(M)形成开关电桥输出端,其中,第一开关元件(S1)是通过主动的控制信号发生器控制的,设有用于由于所述第一开关元件(S1)的工作状态改变而产生用于第二开关元件(S2)的控制信号的辅助电路。
1.用于产生具有高于3MHz的频率和高于500W的功率的HF信号的等离子功率供给装置,包括一HF功率放大器装置(11),所述HF功率放大器装置(11)具有一DC供电装置和一与所述DC供电装置连接的开关电桥(12),所述开关电桥(12)包含两个串联的开关元件(S1,S2)并且所述开关电桥的中点(M)形成开关电桥输出端,其中,设有用于由于第一开关元件(S1)的工作状态改变而产生用于第二开关元件(S2)的控制信号的辅助电路,其特征在于,第一开关元件(S1)是通过一主动的控制信号发生器控制的,其中,所述辅助电路包括一电容器,所述电容器连接在所述第二开关元件(S2)与所述中点(M)之间或者所述第二开关元件(S2)与所述DC供电装置的一电位(13)之间,所述电容器的电容的大小是所述第一开关元件(S1)的功率连接端子之间的电容的大小的至少两倍。
2.根据权利要求1所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述辅助电路具有一信号处理装置(20),所述信号处理装置间接地或直接地与所述中点(M)连接。
3.根据权利要求2所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述信号处理装置(20)仅仅具有一导线区段(30)。
4.根据权利要求2或3所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述辅助电路具有一线圈或一线圈区段(36,41),所述线圈或所述线圈区段(36,41)的一个端部与所述中点(M)连接而所述线圈或所述线圈区段(36,41)的另一端部与所述信号处理装置(20)连接。
5.根据权利要求4所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述线圈区段(36)是一输出变压器(16)的初级绕组(35)的组成部分并且所述中点(M)与所述初级绕组(35)的一抽头(37)连接。
6.根据权利要求4所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述线圈区段(41)是一扼流装置(23)的组成部分,所述扼流装置与所述第二开关元件(S2)并联,其中,所述中点(M)与所述扼流装置(23)的一抽头连接(40)。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的等离子功率供给装置,其特征在于,一扼流装置(23)与所述第二开关元件(S2)并联地设置。
8.根据权利要求2或3所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述信号处理装置(20)包括一滤波器或者一谐振回路。
9.根据权利要求2或3所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述信号处理装置(20)包括一分压器和/或一衰减单元。
10.根据权利要求2或3所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述信号处理装置(20)包括一个或多个放大器(48,49)。
11.根据以上权利要求2或3所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述信号处理装置(20)包括一变压器(47)。
12.根据权利要求2或3所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述信号处理装置(20)与所述辅助电路的多个元件(21,22,23)连接。
13.根据权利要求1-3中任一项所述的等离子功率供给装置,其特征在于,与所述第一开关元件(S1)并联一电容器(31)。
14.根据权利要求1-3中任一项所述的等离子功率供给装置,其特征在于,设有一输出网络(15),所述输出网络与所述中点(M)连接,并且在所述输出网络的输出连接端子上一HF输出信号能够被截取。
15.根据权利要求14所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述输出网络(15)被调谐到基频上。
16.根据权利要求14所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述输出网络(15)被调谐到一与基频不同的频率上。
17.根据权利要求2或3所述的等离子功率供给装置,其特征在于,所述信号处理装置(20)不与主动的信号发生器连接。
18.用于运行一等离子功率供给装置的方法,所述等离子功率供给装置包括一HF功率放大器装置(11),所述HF功率放大器装置(11)具有一DC供电装置和一与所述DC供电装置连接的开关电桥(12),所述开关电桥(12)包含两个串联的开关元件(S1,S2)并且所述开关电桥(12)的中点(M)形成开关电桥输出端,其中,借助于辅助电路由于第一开关元件(S1)的工作状态改变而产生一用于第二开关元件(S2)的控制信号,其特征在于,通过一主动的控制信号发生器控制第一开关元件(S1),其中,所述辅助电路包括一电容器,所述电容器连接在所述第二开关元件(S2)与所述中点(M)之间或者所述第二开关元件(S2)与所述DC供电装置的一电位(13)之间,所述电容器的电容的大小是所述第一开关元件(S1)的功率连接端子之间的电容的大小的至少两倍。
19.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,作为用于所述第二开关元件(S2)的控制信号,产生一相对于所述第二开关元件(S2)的参考电位的正的电压。
20.根据权利要求19所述的方法,其特征在于,在没有主动的信号发生器的情况下产生所述控制信号。
21.根据以上权利要求18至20中任一项所述的方法,其特征在于,如此控制所述第二开关元件(S2),使得所述第二开关元件首先允许一第一方向上的电荷的电流通过,并且在第一方向上流过的电荷的一部分在相反方向上流出时所述第二开关元件才阻断相反方向上的电流。
22.根据以上权利要求18至20中任一项所述的方法,其特征在于,如此彼此推移所述第一开关元件上的电压变化过程和电流变化过程,使得所述第一开关元件(S1)上的电压在其接通的时刻小于所述DC供电装置的电位(13,14)之间的电位差的30%。技术领域
本发明涉及一种用于产生具有高于3MHz的频率和高于500W的功率的等离子功率供给装置,包括具有DC供电装置和与其连接的开关电桥的HF功率放大器装置,所述开关电桥包含两个至少间接地串联的开关元件并且所述开关电桥的中点形成开关电桥输出端,其中,第一开关元件通过主动的控制信号发生器控制。
背景技术
用于在1至50MHz的频率范围内、尤其是在工业频率13.56、27.12和40.68MHz下激励等离子过程(例如,用于RF溅射、蚀刻或用于激励气体激光器)的功率放大器是公知的。这样的功率放大器具有约从1kW至若干100kW的不同功率等级。对于1至20kW范围内的较小功率,优选使用基于半导体模块的放大器(半导体放大器)。对于较大的功率,往往使用电子管放大器。电子管放大器具有放大器电子管,所述放大器电子管在其方面由基于半导体模块、即相应于小功率下的放大器的功率放大器驱动。因为电子管具有很高的空间需求,所以期望也由基于半导体模块的放大器构造用于较大功率的功率放大器。为此,通过合适的功率耦合器将较小功率的半导体放大器连接在一起。基于半导体模块的功率放大器的重要方面是损耗功率的最小化,主要是半导体模块自身中的损耗功率最小化。因此,为了激励等离子过程主要使用具有这样的功率放大器的HF发生器,所述功率放大器具有一个或多个开关元件并且在D类运行或E类运行中工作。对于D类运行,通常使用两个串联的开关元件,例如MOSFET。所述电路装置被称作开关电桥或者半桥。MOSFET具有两个功率连接端子(漏极和源极)和一个控制连接端子(栅极)。通过栅极-源极电压进行MOSFET的控制,其中,可以控制作为所述部件的电压参考点的源极连接端子。优选地,使用n沟道MOSFET,因为其与p沟道MOSFET相比可以更快速地接通和关断并且产生更少的损耗功率。通常的电路如下:上面的MOSFET(高边开关HSS)通过其第一功率连接端子(n沟道MOSFET中的漏极连接端子)与正的DC供电电压连接并且通过其第二功率连接端子(n沟道MOSFET中的源极连接端子)与下面的MOSFET(低边开关LSS,通常n沟道MOSFET)的漏极连接端子连接。下面的MOSFET的源极连接端子与负的DC供电电压连接。在两个开关元件(MOSFET)之间(开关电桥的中点)截取半桥的输出信号。分别通过其栅极连接端子(控制连接端子)控制两个MOSFET。LSS的源极连接端子位于DC供电电压的静态负电位上,而在使用n沟道MOSFET的情况下对于HSS其源极连接端子也导引HF输出信号。因此,HSS的控制电压(栅极-源极电压)也必须相对于HF控制信号具有快速变化的(悬浮的)、高的电位差,这在位于静态电位上的控制信号发生器中要求控制电压传输时复杂的电位分离并且通过与HF输出电压相比较小的控制电压引起HSS的错误控制的危险。在电压馈给的半桥中重要的是,两个开关元件绝对不同时位于导通状态中,因为否则供电电压将短路。这在越来越高的频率下越来越难以确保。接通和关断开关元件的时间延迟在此首先源于线路的电感效应和源于开关元件的内部电容的再充电过程,所述再充电过程此外在各个开关元件中持续时间的长度可以不同。在E类放大器中,由扼流装置取代HSS,所述扼流装置向电路的输出端(相应于D类放大器中的中点)提供DC电流。闭合的开关元件(相应于D类放大器中的LSS)引起电路的输出端上的低电压,这触发流过扼流装置的电流;所述电流在断开开关元件之后由于扼流装置的自感而得以保持,这产生中点处的高电压。与E类运行相比,D类运行具有以下优点:在被构造为晶体管的开关元件上的电压被限制在DC供电电压上,而在E类运行中晶体管上的截止电压可以上升到供电电压的三倍以上。但是,与E类运行相比,D类运行具有以下缺点:共同作用的开关元件的非常精确的同步是必需的,其在越来越高的开关频率下变得越来越困难,并且必须实现用于控制HSS的、相对于快速变换的电位的参考点。在USxa07,180,758B2中公开了D类放大器和E类放大器的示例。
发明内容
因此,本发明的任务在于,提供一种电路装置,所述电路装置减少或者避免D类运行和E类运行的所述缺点并且组合优点。根据本发明,所述任务通过开头所述类型的等离子功率供给装置解决,其中设有用于由于第一开关元件的工作状态改变而产生用于第二开关元件的控制信号的辅助电路。根据本发明,自动地、被动地、非主动地、即没有设备控制装置或者与设备控制装置无关地控制第二开关元件。与传统的E类放大器相比,不出现大的电压上冲。因为不需要第二开关元件的主动控制(并且因此不需要主动的控制信号发生器),可以节省组件,从而可以成本有利地构造装置。此外,对于第二开关元件而言,既不需要驱动器也不需要驱动器控制装置。避免了现有技术中因为驱动器或者驱动控制装置位于第二开关元件的悬浮电位上而出现的问题。此外,通过根据本发明的装置实现了两个开关元件的自动同步。由此,与经典的D类方法相比不存在以下危险:两个开关元件同时接通并且产生短路。总而言之,HF功率放大器装置如同E类放大器那样仅仅包含被主动控制的开关元件,但如同D类放大器那样将其运行电压基本上限制到供电电压上。第一和/或第二开关元件可以被构造为双极型晶体管、场效应晶体管——尤其是MOSFET、或者IGBT。作为MOSFET的构型具有特别的优点,因为所述组件成本有利并且具有高的效率。辅助电路可以具有信号处理装置,所述信号处理装置间接地或直接地与开关电桥的中点连接。通过信号处理装置,可以基于与中点中的电流或电压相关的信号生成用于第二开关元件的信号。信号处理装置不必由外部的控制装置或外部的信号发生器控制。在一个特别简单的实施方式中,信号处理装置可以仅仅具有一个导线区段,其中,所述导线区段可以使第二开关元件的控制连接端子与中点连接。辅助电路可以具有电容器,所述电容器连接在第二开关元件与开关电桥的中点之间或者第二开关元件与DC供电装置的电位、尤其是正电位之间。在第一开关元件的导通阶段的末尾,第一开关元件截止,并且输出电压(中点处的电压)的转变开始。一旦输出电压升高到正的DC供电电压以上,则第二开关元件的体二极管导通。流过第二开关元件的体二极管的反向电流现在使与其串联的电容器充电。所述电容器的电压同时是第二开关元件的栅极控制电压,从而第二开关元件现在导通并且一直保持导通直到在电流换向后电容器重新放电到小于接通所需的阈值电压上。第二开关元件是自开关的并且因此自动地与第一开关元件同步。电容器的电容的大小可以是第一开关元件的功率连接端子(漏极和源极)之间的电容的大小的至少两倍,尤其至少五倍,优选至少十倍。由此,中点处的过高的电压通过第二开关元件被可靠地引导至DC供电装置的正连接端子上。可以与第二开关元件并联地设有扼流装置。尤其是,在第二开关元件关断时也确保DC电流。扼流装置可以被如此设计,使得流过扼流装置的电流在基频的一个周期期间改变小于20%。由此可以实现类似于E类原理的开关特性。扼流装置的感应电流的电荷可以存储在与第二开关元件串联设置的电容器中。辅助电路可以包括线圈或者线圈区段,所述线圈/线圈区段的一个端部与中点连接而其另一端部与信号处理装置连接。通过这样的线圈可以在关断第一开关元件时产生一个电压,所述电压足够接通第二开关元件。线圈可以设置为与输出变压器的初级绕组串联的单独的线圈并且与其磁耦合或者设置为线圈区段,即输出变压器的初级绕组的组成部分,其中,中点与初级绕组的抽头连接。这意味着:输出变压器的初始绕组相对于传统的实施方式更长并且具有抽头。替代地,线圈可以作为线圈区段,即与第二开关元件并联的扼流装置的组成部分,其中,中点与扼流装置的抽头连接。然而,线圈可以如同其可以与输出变压器的初级绕组串联设置那样作为单独的线圈与扼流装置串联地设置并且与其磁耦合。信号处理装置可以包括滤波器,尤其是高通滤波器、低通滤波器或带通滤波器,或者谐振回路。由此可以调节第二开关元件的控制信号的信号形状。信号处理装置也可以包含有源组件。然而,它无需连接到预给定信号的控制装置上,尤其是主动的信号发生器上。替代地或附加地,信号处理装置还可以包括分压器和/或衰减单元。分压器可以通过具有增益系数<1的放大器装置实现。诸如衰减的串联谐振回路的衰减单元可以用于第二开关元件的控制信号的成形。信号处理装置包括一个或多个放大器。尤其是,可以放大信号处理装置的输入信号。如果信号处理装置具有变压器,则可实现信号处理装置中的电流分离。信号处理装置可以与辅助电路的多个元件连接。这意味着:在考虑辅助电路的多个信号的情况下生成用于第二开关元件的控制信号。因此,信号处理装置可以包括多个输入端,例如用于中点电压的测量值或者电流或者施加在线圈的一个端部上的电压。可以与第一开关元件并联地连接一个电容器。通过所述电容器可以在关断第一开关元件之后使第二开关元件的接通延迟。可以设有输出网络,所述输出网络与中点连接,并且可在其输出连接端子上截取HF输出信号。通过输出网络,可以彼此推移电流和电压,以便在中点上相对于第二开关元件的源极连接端子获得合适的电压,从而确保第二开关元件的可靠的接通和关断。输出网络可被调谐到基频上。这意味着:使具有基频并且在输出端上所期望的信号通过。其他频率,尤其是基频的谐波频率被滤除。也可以特意地使输出网络相对于基频失谐,即将输出网络调谐到与基频略微偏差的频率上。由此可以实现开关电桥的中点处的电压和流过输出网络的电流的确定的曲线形状和时间间隔。此外,用于运行等离子功率供给装置的方法也在本发明的范围内,所述等离子功率供给装置包括具有DC供电装置和与其连接的开关电桥的HF功率放大器装置,所述开关电桥包含两个至少间接地串联的开关元件并且其中点形成开关电桥输出端,其中,通过主动的控制信号发生器控制第一开关元件。由于第一开关单元的工作状态改变而产生用于第二开关元件的控制信号。由此可以将第一开关元件的运行电压基本上限制到供给电压上。由此保护第一开关元件。不需要第二开关元件的任何主动控制。可以节省组件。电路安全并且可靠地工作。作为用于第二开关元件的控制信号,可以产生相对于开关电桥的中点电位的正的电压。由此可以接通第二开关元件。在此,可以在没有主动的信号发生器的情况下产生控制信号。在此,如此控制第二开关元件,使得其首先允许第一方向上的电荷的电流通过并且在第一方向上流过的电荷的一部分在相反方向上流出时才阻断相反方向上的电流。可以如此彼此推移第一开关元件上的电压变化过程和电流变化过程,使得第一开关元件上的电压在其接通时刻小于DC供电装置的电位之间的电位差的30%,优选20%。由此可以实现小的开关损耗。与第二开关元件并联地,可以使用扼流装置,其被如此确定尺寸,使得在基频的一个周期期间流过扼流装置的电流改变小于20%。由此确保第一开关元件的恒定的电流供给。由随后根据示出本发明细节的附图对本发明的实施例的描述和权利要求中得出本发明的其他特征和优点。各个特征可以在本发明的变型方案中单独实现或多个以任意组合实现。
附图说明
在附图中示意性地示出本发明的优选实施例,并且以下参考附图解释这些优选实施例。附图示出:图1:HF功率放大器装置的示意图;图2:HF功率放大器装置的第一详细示图;图3:HF功率放大器装置的替代构型;图4:HF功率放大器装置的另一实施方式,图5:图4的实施方式的变换方案;图6a-6g:信号处理装置的不同的可能构型;图7a:E类放大器的开关元件上的电压变化过程;图7b:在D类放大器中运行的开关电桥的下面的开关元件上的电压变化过程;图7c:根据本发明的HF功率放大器装置的第一开关元件上的电压变化过程。
具体实施方式
图1示出HF功率发生器10的示意图,所述HF功率发生器10具有HF功率放大器装置11,所述HF功率放大器装置11具有开关电桥12。开关电桥12包括两个串联的开关元件S1和S2。开关电桥12既与DC供电装置的正电位13也与DC供电装置的负电位14连接。以M表示由开关元件S1和S2构成的串联电路的中点。中点M表示开关电桥12的输出连接端子。输出网络15与中点M连接,所述输出网络15在此实施例中具有输出变压器16,等离子负载17连接在所述输出变压器16上。输出网络15除输出变压器16外还具有串联电容器、串联电感器、振荡回路、输出变压器的抽头,等等。也可以考虑不具有输出变压器16的输出网络15。此外,输出网络15可以包含自耦变压器。等离子负载17仅仅表示为阻抗。但负载也还可以附加地具有阻抗匹配网络。在点X处还可以连接有另一开关电桥。替代地,点X可以以交变电流的方式与地连接,如在所示实施例中通过电容器18.1、18.2实现的那样。第一开关元件S1由驱动器19控制,所述驱动器19又与未示出的、主动的控制信号发生器——例如设备控制装置连接。因此,主动地通过信号发生器产生开关元件S1的控制信号。通过信号处理装置20产生第二开关元件S2的控制信号。不同的组件21、22、23与信号处理装置20连接。这些组件以及组件26与信号处理装置20一起构成辅助电路。为了接通第二开关元件S2,信号处理装置20必须与组件21、22、23一起负责:开关元件S2的控制连接端子24上的电位高于第二开关元件S2的(功率)连接端子25上的电位,第二开关元件S2的(功率)连接端子25上的电位因此也是信号处理装置20的参考电位。除可以在组件21中产生的电压降外,所述电位基本上是中点M的电位。通过信号处理装置20被动地、即在没有设备控制装置的信号的情况下进行第二开关元件S2的控制。在图2中的实施方式中,信号处理装置20仅仅被构造为使中点M与第二开关元件S2的控制连接端子24连接的线路区段30。组件21被构造为电容器并且组件23被构造为扼流装置。输出网络15包括串联振荡回路。与第一开关元件S1并联的电容器31是可选的。因此,连接线路由虚线表示。在图2的实施例中,HF功率放大装置11被构造为具有附加的开关元件S2的E类放大器。通过被构造为扼流装置的组件23使通向中点M的电流保持近似恒定。如果第一开关元件S1被关断,则流过组件23的感应电流使中点M中的电位升高超过DC供电装置的正电位13。流过组件21和第二开关元件S2的电流(电流首先仅仅流过开关元件S2的体二极管或者寄生电容)引起:控制连接端子24或控制连接端子24上的电位高于连接端子25上的电位。第二开关元件S2开始导通。由流过组件23的电流积聚的电荷存储在组件21中或者在电流方向反转后增强流过输出网络15的电流。组件21和导通的开关元件S2将中点M中的电压限制到仅仅略微高于功率直流电流供给装置的正电位13的值上。可以通过电容器(组件21)、组件23和输出网络15中的串联振荡回路来控制中点M中的电压变化过程的曲线形状。与开关元件S2并联的、可选的电容器31在关断第一开关元件S1后使第二开关元件S2的接通延迟并且否则也影响曲线形状。在HF功率放大器装置在图3中示出的实施方式中,输出网络15具有输出变压器16,所述输出变压器16具有初级线圈35。初级线圈35与传统的实施方式相比延长了一个线圈区段36。中点M与线圈区段36的一个端部连接。这意味着:初级绕组35具有抽头37。线圈区段36的另一端部与信号处理装置20连接,所述信号处理装置20产生用于第二开关元件S2的控制信号。因此,线圈区段36既与中点M也与信号处理装置20连接并且信号处理装置20由此间接地与中点M连接。如果开关元件S1被关断,则在初级绕组35中感应出的电压导致M上的过压。在线圈区段36与信号处理装置20连接的端部上,过压更高。所述过压通过信号处理装置20施加到开关元件S2的控制连接端子24上。控制连接端子24上的电位高于中点M上的电位,开关元件S2的连接端子25位于中点M的电位上。由此开关元件S2接通。在所述实施例中不存在组件21和23。这意味着:基本上实现D类放大器。可以通过输出网络15中的其他阻抗调节中点M中的电压的曲线形状。为了首先接通开关元件S1,可以在中点M和DC供电装置的正电位13之间设置扼流装置,但所述扼流装置对其他运行而言不具有影响。在根据图2的实施例中也可以设有由线圈区段36引起的过压。在图4的实施例中也设有被构造为扼流装置的组件23,其中,抽头40定义线圈区段41,所述线圈区段又实现过压。在关断开关元件S1时,通过继续流过组件23的电流以及尤其是通过其由线圈区段41导致的延长产生过压,所述过压通过信号处理装置20施加到控制连接端子24上。由此使控制连接端子24上的电位升高超过中点M中的电位,中点M中的电位表示开关元件S2的参考电位,从而开关元件S2接通。在此实施例中,组件26被构造为电容器。取代组件26,也可以在开关元件S2和中点M之间设置被构造为电容器的组件21。如果仅仅设有组件26,则开关元件S1和S2直接地彼此连接,如果取代组件26而在开关元件S1和开关元件S2之间设有组件21,则开关元件S1、S2间接地连接。在图5中也可以看到,不仅向信号处理装置20输送在线圈区段41的端部上存在的信号,而且信号处理装置20也与开关元件S2的连接端子25连接,从而向信号处理装置20提供开关元件S2的参考电位。信号处理装置20既通过线圈区段41也通过组件21间接地与中点M连接。在考虑所述信号的情况下,在信号处理装置20中求得用于开关元件S2的控制信号。附加地,也可以如下设置:初级线圈35延长一个线圈区段,以便继续贡献于过压。在图6a至6g中示出了信号处理装置20的不同实施方式。在此,左侧的连接端子表示信号处理装置20的输入连接端子而右侧的连接端子表示与控制连接端子24连接的输出连接端子。通过所述信号处理装置20可以影响用于S2的控制信号的振幅、曲线变化过程和时间特性。在图6a中,信号处理装置20仅仅通过导线区段30构造。通过所述导线区段30使信号输入端45和输出连接端子80连接。在根据图6b的实施方式中,在信号处理装置20中构造有RC低通滤波器,通过所述RC低通滤波器使第二开关元件S2的控制电压成形。连接端子46与参考电位连接,所述参考电位位于第二开关元件S2的参考电位的范围内。例如,连接端子46可以与开关元件S2的源极连接端子(连接端子25)或者与中点M连接。在根据图6c的实施方式中,信号处理装置20具有变压器47,所述变压器47在初级侧与连接端子45连接而在次级侧与连接端子80连接。连接端子46.1和46.2又与参考电位连接,所述参考电位位于第二开关元件S2的参考电位的范围内并且例如可以是中点M的电位。在根据图6d的实施方式中,信号处理装置20具有两个信号输入端45.1、45.2,所述两个信号输入端分别与一个放大器48、49连接。放大器48、49的输出信号被在加法器50中相加。放大器48、49的增益也可以小于1。加法器50的输出信号通过连接端子80输出给控制连接端子24。如果放大器48、49具有小于1的增益,则其可以通过分压器实现。在图6e中示出信号处理装置20的一个实施方式,所述信号处理装置20具有被构造为二极管的整流器51,所述整流器51具有在后连接的低通滤波器52,所述低通滤波器包括两个电阻53、54和一个电容器55。二极管51和低通滤波器52导致控制信号的快速上升和缓慢下降。在图6f中示出信号处理装置20,所述信号处理装置具有衰减的串联振荡回路56。所述串联振荡回路具有线圈57和电容器58的串联电路以及与其并联的电阻59。在图6e中示出由电容器61和电阻62组成的高通滤波器60,其表示信号处理装置20。在图7a中示出开关元件S1的上面的连接端子上的电压变化70,如果实施传统的E类运行。在传统的E类运行中,通常不存在第二开关元件S2,而是仅仅存在扼流装置,通过所述扼流装置开关元件S1与DC供电装置的正电位连接。如从图7a中可以看到的那样,最大电压比DC供电装置的正电位13高得多。因此,可以出现如下情况:在开关元件S1上施加很高的电压。在图7b中示出中点M上或者开关电桥的下面的开关元件S1上的电压变化71,所述开关电桥在D类运行中运行。除小的上冲72外,电压被限制到DC供电装置的正电位13上。在图7c中示出在根据本发明的HF功率放大器装置中调节的电压变化72。可以看到,电压73基本上被限制到DC供电装置的正电位13上。